3D芯片堆叠技术到底是什么？
现在3D芯片堆叠技术具有如此巨大的魅力，它集成了存储，逻辑和传感器，可以减小尺寸并提供性能，这可以说是迈向摩尔定律的一步。所以3D芯片堆叠技术到底是什么？
与将所有模块都放在平面层上的传统二维芯片相比，该三维芯片允许多层堆叠，而TSV用于提供多个晶圆的垂直通信。其中，TSV是3D芯片堆叠技术的关键。
3D堆叠技术是利用堆叠技术或通过互连和其他微加工技术在芯片或结构的Z轴方向上形成三维集成，信号连接以及晶圆级，芯片级和硅盖封装具有不同的功能。针对包装和可靠性技术的三维堆叠处理技术，该技术用于微系统集成，是在片上系统（SOC）和多芯片模块（MCM）之后开发的先进的系统级封装制造技术。
在传统的SiP封装系统中，任何芯片堆栈都可以称为3D，因为在Z轴上功能和信号都有扩展，无论堆栈位于IC内部还是外部。目前，3D芯片技术的类别如下：
1.基于芯片堆叠的3D技术
3D IC的初始形式仍广泛用于SiP领域。具有相同功能的裸芯片从下到上堆叠以形成3D堆叠，然后通过两侧的接合线进行连接，**以系统级封装（System-in-Package，SiP）的形式连接。堆叠方法可以是金字塔形，悬臂式，并排堆叠和其他方法。
另一种常见的方法是在SiP基板上安装倒装芯片裸芯片，并通过粘接将另一个裸芯片安装在其顶部，如下图所示，这种3D解决方案在手机中更为常用。
2.基于有源TSV的3D技术
在这种3D集成技术中，至少一个裸芯片与另一个裸芯片堆叠在一起。下部裸芯片使用TSV技术，上部裸芯片通过TSV与下部裸芯片和SiP基板通信 。
以上技术涉及在芯片处理完成之后堆叠以形成3D。实际上，它不能被称为真正的3D IC技术。这些方法基本上是在封装阶段进行的，我们可以称其为3D集成，3D封装或3D SiP技术。
3.基于无源TSV的3D技术
中介层硅衬底放置在SiP衬底和裸芯片之间。中介层具有硅通孔（TSV），并且硅衬底上表面和下表面上的金属层通过TSV连接。有人将此技术称为2.5D，因为作为中介层的硅基板是无源组件，并且TSV硅过孔未在芯片本身上打孔。
4.基于芯片制造的3D技术当前，基于芯片制造的3D技术主要应用于3D NAND FLASH。东芝和三星在3D NAND方面的开拓性工作带来了两项主要的3D NAND技术。 3D NAND现在可以达到64层甚至更高的层，其输出已经超过2D NAND。
芯片技术不断发展，这也考验了相应的芯片封装测试技术，KY开元集团不断探索X射线成像检测技术，力求在芯片发展的道路上贡献自己的 一臂之力。
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